WEP CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀

德國WEP公司的CVP21電化學C-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。
電化學ECV剖面濃度測試儀主要用于半導體材料的研究及開發，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發展半導體光-電化學濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀適用于評估和控制在半導體生產中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上，例如：硅、鍺、III-V族化合物半導體(如GaN)。

CVP21的系統特點：

• 堅固可靠的模塊化系統結構，光學、電子和化學部分相對獨立；
• 的測量電路模塊；
• 強力的控制軟件，系統操作，使用簡便;
• 完善的售后服務體系;
• 提供免費樣品測試并提供測試報告。
• 保修期：2年，終身維修。
• 對用戶承諾*樣品測試，每月1次。

技術參數： 
CVP21電化學CV剖面濃度分析儀結合了WEP在電化學方分布測試方面超過３０年的經驗和世界上的電路系統。全自動，特別適用于新材料，如氮化鎵、碳化硅材料等。
可有效檢測：外延材料、擴散、離子注入。
載流子濃度測量范圍：1011/cm3~1021/cm3 ；
深度分辨率：低至1nm；
模塊化系統結構：
 - 拓撲型結構；
 - 實時監控腐蝕過程；
 - 適于微小樣品及大尺寸的晶圓；
- 全自動化系統；

主要特點： 
CVP21電化學ECV是半導體載流子濃度分布的解決方案：
1.  CVP21應用范圍寬，可以用于絕大多數的半導體材料。
- IV族半導體如：硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…
- III-V族化合物半導體如：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…
- 三元III-V族化合物半導體如：鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…
- 四元III-V族化合物半導體如：鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…
- 氮化物如：氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…
- II-VI族化合物半導體如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…
- 其他不常見半導體材料(可以聯系我們進行樣品測量)。
2.  CVP21可測試不同形態的樣品：多層結構的薄膜材料、基底沒有限制(基底導電或絕緣均可)、標準樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請預先咨詢我們)。
3.  CVP21擁有很好的分辨率范圍：
* 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
* 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質量決定)
4.  CVP21是一套完整的電化學ECV測量系統：
* 系統可靠性高(儀器的電子、機械、光學、液體傳動幾個主要部分均經特殊設計)
* 免校準的系統(自校準的電子系統，電纜電容均無須用戶再次校準)
* 易于使用(全用戶管理軟件優化，在實驗室環境或生產環境均易于使用)
* 照相機鏡頭控制(過程在線由彩色照相機鏡頭控制；每次測量后，鏡頭數據均可取出。)
* 實驗菜單(測量菜單預定義，優先權用戶可以很容易修改或改進測量菜單)
* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學樣品池自動裝載/卸載/再裝載，優先權用戶易于修改，進行樣品dry-in/dry-out處理。)