本標準規(guī)定了半導(dǎo)體器件保護用熔斷體的額定值、正常使用下的溫升、耗散功率、時間-電流特性、
分斷能力、截斷電流特性、lr特性、電弧電壓特性、試驗和標志。
本標準適用于交流額定電壓不超過1 200V或直流額定電壓不超過1 500V的電路中具有半導(dǎo)體器
件的設(shè)備上使用的熔斷體。
注：①在多數(shù)情況下，以組合設(shè)備的一部分作為熔斷體的底座。由于設(shè)備種類繁多，難以作出一般的規(guī)定。組合設(shè)
備是否適合用作熔斷體的底座，應(yīng)由用戶與制造廠協(xié)商。但是，當采用獨立的熔斷器底座或支持件時，則它
們應(yīng)符合GB 13539.1的有關(guān)規(guī)定。
②這種熔斷體通常稱為“半導(dǎo)體熔斷體”。
